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参数资料
| 型号： | 2SB631-F |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SB631-F |
2SB631, 631K/2SD600, 600K
No.346–2/4
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6
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n
* : The 2SB631/2SD600 are classified by 50mA hFE as follows :
k
n
a
RD
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F
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F
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2
1
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t
0
60
0
2
o
t
0
10
2
3
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t
0
6
1
Switching Time Test Circuit
Continued on next page.
100
+12V
--2V
VCE=12V
IC=10IB1= --10IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
24
1
1
F1F
PW=20
s
IB1
IB2
0
--1
--2
--3
--4
--6
--5
IC -- VCE
ITR08276
--1.6
--0.4
--0.6
--1.2
--1.4
--0.8
--1.0
--0.2
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IC -- VBE
ITR08278
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
IB=0
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--10mA
--12mA
--15mA
--20mA
0
01
2
3
4
6
5
IC -- VCE
ITR08277
1.6
0.4
0.6
1.2
1.4
0.8
1.0
0.2
IB=0
12mA
15mA
20mA
10mA
2mA
4mA
6mA
8mA
2SB631, 631K
VCE= --5V
2SB631, 631K
Tc=25
°C
2SD600, 600K
Tc=25
°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IC -- VBE
ITR08279
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2SD600, 600K
VCE=5V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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