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参数资料
| 型号： | 2SB632D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SB632D |
2SB632, 632K/2SD612, 612K
No.341–3/9
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--1000
--10000
ITR08299
VCE(sat) -- IC
Cob -- VCB
100
10
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--10
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27
--100
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ITR08297
hFE -- IC
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--1000
--10000
ITR08295
f T -- IC
100
10
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--10
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--100
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--1000 23
ITR08293
2SB632
VCE= --10V
2SB632
VCE= --2V
2SB632
f=1MHz
2SB632
IC / IB=10
2
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0.1
0.01
1.0
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10
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1000
10000
ITR08300
VCE(sat) -- IC
2SD612
IC / IB=10
Cob -- VCB
100
10
1.0
10
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73
5
ITR08298
2SD612
f=1MHz
hFE -- IC
2
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ITR08296
2SD612
VCE=2V
f T -- IC
100
10
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1000
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ITR08294
2SD612
VCE=10V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC – mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC – mA
Output
Capacitance,
Cob
–
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
–
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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