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参数资料
| 型号： | 2SB643R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71 |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|进步党| 25V的五（巴西）总裁| 500mA的一（c）|律师- 71 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | 2SB643R |
3
Transistor
2SB0642
0
–30
–25
–20
–5
–15
–10
0
6
5
4
3
2
1
I
C=–1mA
f=10.7MHz
Ta=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Common
emitter
reverse
transfer
capacitance
C
re
(pF
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
0
6
5
4
3
2
1
V
CB=–5V
f=1kHz
R
g=2k
Ta=25C
Emitter current I
E
(mA)
Noise
figure
NF
(dB
)
0.1
0.3
1
3
10
0
20
16
12
8
4
18
14
10
6
2
V
CB=–5V
R
g=50k
Ta=25C
f=100Hz
10kHz
1kHz
Emitter current I
E
(mA)
Noise
figure
NF
(dB
)
0.1
0.3
1
3
10
1
300
100
30
10
3
V
CE=–5V
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
h
oe (S)
h
ie (k)
h
re (10
–4)
Emitter current I
E
(mA)
h
Parameter
–1
–3
–10
–30
–100
1
300
100
30
10
3
I
E=2mA
f=270Hz
Ta=25C
h
fe
h
oe (S)
h
ie (k)
h
re (10
–4)
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
h
Parameter
0
150
125
100
25
75
50
1
100
10
30
3
V
CB=–10V
Ambient temperature Ta (C)
I CBO
(Ta
)
I CBO
(Ta=25
C
)
Cre — VCE
NF — IE
h Parameter — IE
h Parameter — VCE
ICBO — Ta
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PDF描述 |
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