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参数资料
| 型号： | 2SB852KT146/A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | 2SB852KT146/A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB857-D-T6C-K | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB857G-D-T6C-K | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB857-C-T6C-K | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB857G-D-TN3-R | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SB857L-C-TA3-T | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB852KT146B | 功能描述:达林顿晶体管 DARL PNP 32V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB855 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANSISTORTO-220AB -50V -2A 20W BCE |
| 2SB856 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANSISTOR TO -50V -3A 25W BCE |
| 2SB856A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 2SB856B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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