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参数资料
| 型号： | 2SB919-R |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SB919-R |
2SB919/2SD1235
No.1046–3/4
hFE -- IC
ITR08729
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
5
7
3
2
10
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
10
0.01
0.1
3
25
3
25
3
25
2
1.0
10
--1.0
3
25
3
25
2
--10
--0.1
3
25
--0.01
hFE -- IC
ITR08730
2SB919
VCE= --2V
2SD1235
VCE=2V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
A S O
--1.0
5
7
5
2
3
5
7
2
3
2
3
--10
--0.1
--10
--1.0
25
3
77
2
5
37
--100
ICP=–15A
10ms
100ms
DC
operation
100ms
1ms
IC=–8A
ITR08735
1ms to 100ms : Sigle pulse
1.0
5
7
2
3
5
7
2
3
2
3
10
0.1
10
1.0
25
3
77
2
5
37
100
DC
operation
1ms to 100ms : Single pulse
ICP=15A
1ms
IC=8A
ITR08736
2SD1235
A S O
VCE(sat) -- IC
2SD1235
--10
--0.1
--0.01
23
5
23
5
23
5
2
--1.0
--100
--10
5
3
2
5
3
2
5
3
2
5
3
2
--1.0
--0.1
--0.01
--10
--0.1
23
5
23
5
23
5
2
--0.01
--1.0
10
0.1
0.01
23
5
23
5
23
5
2
1.0
I C
/ I B
=10
I C
/ I B
=20
VCE(sat) -- IC
ITR08731
ITR08732
10
0.1
0.01
23
5
23
5
23
5
2
1.0
100
10
5
2
5
2
5
2
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2
1.0
0.1
0.01
I C
/ I B
=10
I C
/ I B
=20
VBE(sat) -- IC
--1.0
--100
--10
5
3
2
5
3
5
3
2
1.0
100
10
7
5
3
2
7
5
3
7
5
3
2
2SB919
IC / IB=20
2SD1235
IC / IB=20
2SB919
ITR08733
VBE(sat) -- IC
ITR08734
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SC2999-D | HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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