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参数资料
| 型号： | 2SC1199 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-39 |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 35V的五（巴西）总裁| 300mA的一（c）| TO - 39封装 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 24K |
| 代理商： | 2SC1199 |
2SC1162
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SA715
Outline
123
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126 MOD
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
P
C
*
Tj
35
V
Collector to emitter voltage
35
V
Emitter to base voltage
5
V
Collector current
2.5
A
Collector peak current
3
A
Collector power dissipation
0.75
W
1
10
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
Tstg
–55 to +150
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PDF描述 |
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