参数资料
型号: 2SC1472(K)
文件页数: 2/9页
文件大小: 704K
代理商: 2SC1472(K)
相关PDF资料
PDF描述
2SC1472A(K) SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC1472B(K) BJT
2SC1473AP TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 70MA I(C) | TO-92
2SC1473AQ SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC1473AR TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 70MA I(C) | TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC1472KATZ-E 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SC1472KBTZ-E 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial, Darlington
2SC1473 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC1473/2SC1473A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:2SC1473. 2SC1473A - NPN Transistor
2SC14730RA 功能描述:TRANS NPN 200VCEO 70MA TO-92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR