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参数资料
| 型号： | 2SC1506 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | 2SC1506 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC1507L | 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC1507 | 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC1507K | 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC1507M | 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC1506K | 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC1507 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SC1509 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC15090R | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO .5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC15090S | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO .5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC1509R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR |
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