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参数资料
| 型号： | 2SC1560 |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶体管高FREQUNY |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 635K |
| 代理商： | 2SC1560 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC1988 | NPN SILICON HIGH FREQUNY TRANSISTOR |
| 2SC2396 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC2543 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC2544 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SC2404B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 15MA I(C) | TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC1566 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC1567 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC1567/2SC1567A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:2SC1567. 2SC1567A - NPN Transistor |
| 2SC15670R | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO .5A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC15670S | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO .5A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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