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参数资料
| 型号： | 2SC1623L4-TP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | 2SC1623L4-TP |
2SC1623
NPN Silicon
Epitaxial Transistors
Features
High DC Current Gain: hFE=200 TYP.(VCE=6.0V, IC=1.0mA)
High voltage: VCEO=50V
Maximum Ratings
Symbol
Rating
Unit
VCEO
Collector-Emitter Voltage
50
V
VCBO
Collector-Base Voltage
60
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V
IC
Collector Current
100
mA
PC
Collector power dissipation
200
mW
TJ
Junction Temperature
-55 to +150
OC
TSTG
Storage Temperature
-55 to +150
OC
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=60Vdc,IE=0)
---
0.1
uAdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=5.0Vdc, IC=0)
---
0.1
uAdc
ON CHARACTERISTICS
hF
DC Current Gain*
(IC=1.0mAdc, VCE=6.0Vdc)
90
200
600
---
VCE(sat)
Collector Saturation Voltage*
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)
---
0.15
0.3
Vdc
VBE(SAT)
Base Saturation Voltage*
(IC=100mAdc,IB=10mAdc)
---
0.86
1.0
Vdc
VBE
Base Emitter Voltage*
(VCE=6.0Vdc, IC=1.0mAdc)
0.55
0.62
0.65
Vdc
Cob
Collector Capacitance
(VCB=6.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz)
---
3.0
---
pF
fT
Gain Bandwidth product
(VCE=6.0Vdc, IE=10mAdc)
---
250
---
MHz
hFE CLASSIFICATION
Marking
L4
L5
L6
L7
hFE
90-180
135-270
200-400
300-600
* Pulse Test PW<350us, duty cycle<2%
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.120
2.80
3.04
B
.083
.098
2.10
2.64
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.044
.89
1.12
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
K
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
3
1
2
1.BASE
3.COLLECTOR
2.EMITTER
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