型号: | 2SC1929S |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-220AB |
中文描述: | 晶体管|晶体管|叩| 300V五(巴西)总裁| 400mA的一(c)| TO - 220AB现有 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 148K |
代理商: | 2SC1929S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2SC1953Q | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC1953R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126 |
2SC1953S | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC1953T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-126 |
2SC1955 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 17V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2SC1940-L | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SC1941-AZ(K) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN Bulk |
2SC1942 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANS TO-31500V 3A 50W BEC |
2SC19530S | 功能描述:TRANS NPN HF 150VCEO 50MA TO-126 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SC1955 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR35V .8A 7.5W |