型号: | 2SC2055 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L |
封装: | TO-92L, 3 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 114K |
代理商: | 2SC2055 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC2068 | 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 |
2SC2068R | 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 |
2SC2068 | 0.05 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 |
2SC2075 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
2SC2102 | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC2056 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in VHF band portable or hand-held radio applications) |
2SC2057 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-9230V .02A .25W BEC |
2SC2058 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR |
2SC2058S | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:High-frequency Amplifier Transistor(25V, 50mA, 300MHz) |
2SC2058STPP | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 0.05A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |