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参数资料
| 型号： | 2SC2209 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 中文描述： | 1.5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126A-A1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | 2SC2209 |
2SC2209
2
SJD00097BED
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
Cob VCB
VCER RBE
ICBO Ta
0
12
10
8
6
4
2
0
200
40
80
160
120
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
TC=Ta
0
1.0
3.0
2.0
4.0
3.5
2.5
1.5
0.5
010
24
8
6
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
30mA
35mA
20mA
25mA
10mA
5mA
15mA
IB=40mA
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
–25C
25C
TC=100C
0.01
1
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
TC=–25C
25C
100C
0.01
1
0.1
1
10
100
1000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=5V
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
0
240
200
160
120
80
40
Transition
frequency
f
T
(MHz)
Emitter current I
E (A)
VCB=5V
f=200MHz
TC=25C
0
1
120
100
80
60
40
20
10
100
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0
60
50
40
30
20
10
0.001
0.01
0.1
1
10
Base-emitter resistance R
BE (k)
Collector-emitter
voltage
(Resistor
between
B
and
E)
V
CER
(V)
TC=25C
0
100
80
60
40
20
1
1000
100
10
I CBO
(T
a
)
I CBO
(T
a
=
25
°C
)
Ambient temperature T
a (°C)
VCB=20V
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PDF描述 |
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