型号: | 2SC2229O-BP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封装: | PLASTIC, TO-92MOD, 3 PIN |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 172K |
代理商: | 2SC2229O-BP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC2229-BP | 50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SC2229O | 50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SC2308C | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SC2344D-RA | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1011-RC | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC2229Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
2SC2229-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 150V 0.05A 3-Pin TO-92 Mod |
2SC2229-Y(MIT,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
2SC2229-Y(MIT1,F,M | 功能描述:TRANS NPN 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
2SC2229-Y(SAN2,F,M | 功能描述:TRANS NPN 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |