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参数资料
| 型号： | 2SC2229TPE6 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | 2SC2229TPE6 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2230-GR | 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2230-Y | 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2274-D | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA984 | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2309-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2229Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
| 2SC2229-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 150V 0.05A 3-Pin TO-92 Mod |
| 2SC2229-Y(MIT,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2229-Y(MIT1,F,M | 功能描述:TRANS NPN 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2229-Y(SAN2,F,M | 功能描述:TRANS NPN 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
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