参数资料
型号: 2SC2235-Y
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 2/2页
文件大小: 63K
代理商: 2SC2235-Y
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PDF描述
2SC2235L-O-T9N-B 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2235L-Y-T9N-B 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2235G-O-T9N-K 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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相关代理商/技术参数
参数描述
2SC2235-Y(6MBH1,AF 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1
2SC2235-Y(DNSO,AF) 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1
2SC2235-Y(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 120V 0.8A 120 to 240 LSTM 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 120V 0.8A 120 to 240 LSTM Bulk
2SC2235-Y(F,M) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 120V 0.8A TO-92
2SC2235-Y(MBSH1,FM 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):800mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1