- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30522 > 2SC2235L-Y-T9N-K (UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD) 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC2235L-Y-T9N-K |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | LEAD FREE, TO-92NL, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2SC2235L-Y-T9N-K |
2SC2235
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R211-012.B
ABSOLUTE MAXIMUM RATING ( Ta=25°C ,unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
120
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
120
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
IC
800
mA
Emitter Current
IE
-800
mA
Collector Power Dissipation
PC
900
mW
Junction Temperature
TJ
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C,unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP MAX UNIT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
VBCEO
IC =10mA, IB=0
120
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
VBEBO
IE=1mA, IC =0
5
V
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=120V, IE=0
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=5V, IC=0
100
nA
DC Current Gain
hFE
VCE=5V, IC =100mA
80
240
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC =500mA, IB=50mA
1.0
V
Base-Emitter Voltage
VBE
VCE=5V, IC =500mA
1.0
V
Transition Frequency
fT
VCE=5V, IC =100mA
120
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=10V, IE=0,f=1MHz
30
pF
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
Y
O
RANGE
120-240
80-160
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2235L-O-T9N-K | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2235G-Y-T9N-B | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2236 | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2236O | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2298B | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2235O | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
| 2SC2235-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 120V 0.8A 70 to 140 LSTM 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 120V 0.8A 70 to 140 LSTM Bulk |
| 2SC2235-O(FA1,F,M) | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2235-O(T6ASN,FM | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2235-O(T6FJT,AF | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。