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参数资料
| 型号： | 2SC2383-Y |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 2SC2383-Y |
2SC2383
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2383
Color TV Vertical Deflection Output Applications
Color TV Class-B Sound Output Applications
High breakdown voltage: VCEO = 160 V
Large continuous collector current capability
Recommended for vertical deflection output & sound output
applications for line-operated TVs.
Complementary to 2SA1013
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
160
V
Collector-emitter voltage
VCEO
160
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC
1
A
Base current
IB
0.5
A
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 150 V, IE = 0
―
1.0
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
―
1.0
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
160
―
V
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = 5 V, IC = 200 mA
60
―
320
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
―
1.5
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 5 mA
0.45
―
0.75
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 200 mA
20
100
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
20
pF
Note: hFE classification R: 60 to 120, O: 100 to 200, Y: 160 to 320
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2383Y-BP | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2383R-BP | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2383O-BP | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2389STPE | 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2389S | 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2383-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 160V 1A 3-Pin TO-92 Mod |
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| 2SC2383-Y(TE6,F,M) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCEO 160V DC 1A High Freq Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC2383-Y,T6KEHF(M | 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2383-YTE6FM | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
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