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参数资料
| 型号： | 2SC2383TPE6 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | 2SC2383TPE6 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2383-OTPE6 | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2383-YTPE6 | 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2389STPS | 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3906KT146/R | 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3906KT146R | 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2383Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
| 2SC2383-Y | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor |
| 2SC2383-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 160V 1A 3-Pin TO-92 Mod |
| 2SC2383-Y(T6DNS,FM | 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SC2383-Y(TE6,F,M) | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VCEO 160V DC 1A High Freq Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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