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参数资料
| 型号： | 2SC2497A |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planar type(For low-frequency power amplification) |
| 中文描述： | 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 248K |
| 代理商： | 2SC2497A |
2SC2497, 2SC2497A
2
SJD00099BED
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IE
Cob VCB
VCER RBE
ICBO Ta
0
6
5
4
3
2
1
0
40
80
120
160
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(2)Without heat sink
(1)
(2)
0
1.0
3.0
2.0
4.0
3.5
2.5
1.5
0.5
012
210
48
6
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
TC=25C
45mA
40mA
30mA
35mA
20mA
25mA
10mA
5mA
15mA
IB=50mA
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
–25C
25C
TC=100C
0.01
1
0.1
1
10
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=10
TC=–25C
25C
100C
0.01
1
0.1
1
10
100
1 000
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=5V
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
0
240
200
160
120
80
40
Transition
frequency
f
T
(MHz)
Emitter current I
E (A)
VCB=5V
f=200MHz
TC=25C
0
1
240
200
160
120
80
40
10
100
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
Base-emitter resistance R
BE (k)
Collector-emitter
voltage
(Resistor
between
B
and
E)
V
CER
(V)
IC=10mA
TC=25C
1
10
102
103
104
0
40
80
120
160
I CBO
(T
a
)
I CBO
(T
a
=
25
°C
)
Ambient temperature T
a (°C)
VCB=40V
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2671 | Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification) |
| 2SC2717 | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2983(2-7J1A) | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2983-Y(2-7B1A) | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2983-O(2-7B1A) | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2497AP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| 2SC2497AQ | 功能描述:TRANS NPN HF 60VCEO 1.5A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC2497AR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| 2SC2497AS | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| 2SC2497P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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