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参数资料
| 型号： | 2SC2582Q |
| 英文描述： | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管|叩| 35V的五（巴西）总裁| 1A条一（c）|至126 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SC2582Q |
2SC2545, 2SC2546, 2SC2547
4
0
200
400
600
50
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
C
Maximum Collector Dissipation Curve
100
150
0
10
30
20
50
40
4
70
60
8
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
Typical Output Characteristics
12
16
20
50
40
30
20
10
μ
A
P
C
=04W
I
B
= 0
0
4
12
8
20
16
4
8
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
Typical Output Characteristics
12
16
20
10
15
20
25
5
μ
A
I
B
= 0
0
0.2
0.1
2
1.0
0.5
10
5
0.2
0.4
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
C
C
Typical Transfer Characteristics
0.6
0.8
1.0
V
CE
= 12 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2582R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
| 2SC2582S | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2582R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
| 2SC2582S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126 |
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| 2SC2588 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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