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参数资料
| 型号： | 2SC2619FAUR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPAK-3 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2SC2619FAUR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2619FB01 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2620-C | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2647B | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2690-Q-AZ | 1.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC2690-P | 1.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC2620Q | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC2621 | 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-126 |
| 2SC2625 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR |
| 2SC2631 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC26310RA | 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA TO-92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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