参数资料
型号: 2SC2620-C
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 4/5页
文件大小: 23K
代理商: 2SC2620-C
2SC2620
4
Package Dimensions
0.16
0 – 0.1
+ 0.10
– 0.06
0.4
+ 0.10
– 0.05
0.95
1.9
± 0.2
2.95
± 0.2
2.8
+
0.2
0.6
0.65
1.5
±0.15
0.65
1.1
+
0.2
0.1
0.3
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
MPAK
Conforms
0.011 g
As of January, 2001
Unit: mm
相关PDF资料
PDF描述
2SC2647B 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2690-Q-AZ 1.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC2690-P 1.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC2690A-Q 1.2 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC2690A-AZ 1.2 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC2620Q 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC2621 制造商: 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-126
2SC2625 制造商:Fuji Electric 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-247VAR
2SC2631 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC26310RA 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA TO-92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR