型号: | 2SC2712-O |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 624K |
代理商: | 2SC2712-O |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC2712 | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SC2712BLTE85R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SC2712BLTE85L | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SC2712OTE85L | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SC2712-GRTE85R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC2712-OTE85LF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN S-MINI 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistors Bipolar - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans |
2SC2712S-GR,LF | 功能描述:两极晶体管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC2712S-Y,LF | 功能描述:两极晶体管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC2712S-Y,LF(D | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS NPN 50V 150MA S-MINI 制造商:Toshiba 功能描述:SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
2SC2712Y | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |