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参数资料
| 型号： | 2SC2879A |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 2-13B1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | 2SC2879A |
2SC2879A
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SC2879A
2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
(LOW SUPPLY VOLTAGE USE)
Specified 12.5V, 28MHz Characteristics
Output Power
: Po = 100WPEP
Power Gain
: Gp = 13dB
Collector Efficiency
: ηC = 35% (Min.)
Intermodulation Distortion: IMD = 24dB(Max.)
(MIL Standard)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
45
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
45
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
18
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
4
V
Collector Current
IC
25
A
Collector Power Dissipation
PC
250
W
Junction Temperature
Tj
175
°C
Storage Temperature Range
Tstg
65~175
°C
JEDEC
—
EIAJ
—
TOSHIBA
2–13B1A
Weight: 5.2g
Unit in mm
MARKING
Dot
Lot No.
2SC2879
JAPAN
TOSHIBA
1
2005-03-09
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PDF描述 |
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参数描述 |
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