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参数资料
| 型号： | 2SC2884-Y |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-5K1A, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | 2SC2884-Y |
2SC2884
2004-07-07
3
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
o
n
P
C
(W
)
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0
0.8
20
40
60
80
100
120
140
160
1.2
(1)
(2)
(1) Mounted on a ceramic
substrate (250 mm
2 × 0.8 t)
(2) No heat sink
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
hFE – IC
DC
c
u
rr
en
tg
ai
n
h
FE
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
C
ollec
tor-e
mi
tte
rs
atu
rati
on
vo
ltag
e
V
CE
(s
a
t)
(V
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Coll
ect
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
7
6
3
1
0
200
600
800
1000
2
IB = 1 mA
Common emitter
Ta
= 25°C
3
4
0
400
2
4
5
7
8
6
1.6
1.2
0.8
0.4
0
200
400
600
800
Common emitter
VCE = 1 V
Ta
= 100°C
0
25
500
3
10
50
3000
1000
300
100
30
5
0.3
3
1
10
100
30
300
DC operation
Ta
= 25°C
IC max (pulse)*
IC max (continuous)
100 ms*
1 ms*
*: Single nonrepetitive pulse
Ta
= 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
Tested without a substrate.
VCEO max
10 ms*
Collector current IC (mA)
1000
500
300
100
50
30
1
3
10
30
10
100
300
1000
Common emitter
VCE = 1 V
25
Ta
= 100°C
1
3
10
30
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
100
300
1000
25
Ta
= 100°C
Common emitter
IC/IB = 25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC2884-Y(TE12L,CF | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 30V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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