| 型号: | 2SC3058 |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 30 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数: | 1/5页 |
| 文件大小: | 148K |
| 代理商: | 2SC3058 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3071 | 200 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SC3072-A(2-7J1A) | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3072(2-7J1A) | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3088 | 4 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SC3088-M | 4 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3058A | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| 2SC3059 | 制造商:FUJITSU 制造商全称:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Silicon High Speed Power Transistor |
| 2SC3060 | 制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SC3061 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC3063 | 功能描述:TRANS NPN 300VCEO .1A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |