型号: | 2SC3059 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 2 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
文件页数: | 5/19页 |
文件大小: | 489K |
代理商: | 2SC3059 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SC3060 | 5 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2SC3080C1/MN | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA881/PR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2314TL3/UV | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SC1613AC1/QS | 50 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SC3060 | 制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
2SC3061 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SC3063 | 功能描述:TRANS NPN 300VCEO .1A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SC3064 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor |
2SC3064E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | DIP |