- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41480 > 2SC3061 10 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC3061 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件页数： | 1/19页 |
| 文件大小： | 489K |
| 代理商： | 2SC3061 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3059 | 2 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2SC3060 | 5 A, 850 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2SC3080C1/MN | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA881/PR | 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2314TL3/UV | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3063 | 功能描述:TRANS NPN 300VCEO .1A TO-126 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC3064 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:NPN Epitaxial Planar Silicon CompositeTransistor |
| 2SC3064E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | DIP |
| 2SC3064F | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | DIP |
| 2SC3064G | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | DIP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。