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参数资料
| 型号： | 2SC3089-N |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SC3089-N |
2SC3089
No.1012–3/4
35 7 0.1
0.01
35 7
7
1.0
10
2
23
5
2
SW Time -- IC
ITR05347
0.1
5
7
3
2
1.0
5
7
3
2
10
0.1
5
7
3
2
1.0
5
7
3
2
10
7
0.01
3
25
7
3
25
0.1
1.0
7
3
25
10
VBE(sat) -- IC
ITR05346
Ta=--40°C
120°C
IC / IB=5
Pulse
25
°C
0
100
80
60
40
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
ITR05350
1.0
10
0.1
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
1.0
10
0.1
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
100
10
57
2
3
5
7
2
3
5
7 1000
100
10
5
23
7
2
5
37
57
1000
10ms
Disipation
Limited
S /
B
Limited
ICP=14A
IC=7A
Tc=25
°C
Single pulse
ITR05348
Forward Bias A S O
1ms
L=200
H
IC=--5IB2
Tc=25
°C
ITR05349
Reverse Bias A S O
IC
Test Circuit
VCC=20V
TUT
L
VR
100
IB1
--IB2
--5V
DC
operation
<50
s
R load
IC=5IB1=--5IB2
VCC=200V
tstg
ton
tf
100
s
IB2=--1.4A
Const
(at IC≥7A)
550
14
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – A
Switching
Time,
SW
time
–
s
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta –C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SC3089-M | 7 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC3089N | 7 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
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相关代理商/技术参数 |
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