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参数资料
| 型号： | 2SC3326 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2SC3326 |
2SC3326
2003-03-27
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC3326_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications |
| 2SC3326A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59 |
| 2SC3326-A(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:RF TRANSISTOR - Tape and Reel 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:RF TRANSISTOR - Bulk |
| 2SC3326-A(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN S-MINI |
| 2SC3326-A,LF | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236 标准包装:1 |
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