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参数资料
| 型号： | 2SC3331-V |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | 2SC3331-V |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3334TPE6 | 50 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3334 | 50 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3356-L | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3400 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3402 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3332 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Voltage Switching Applications |
| 2SC3332_11 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Voltage Switching Applications |
| 2SC3332R | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3332R-AA | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3332S | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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