参数资料
型号: 2SC3332S
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: NP, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 46K
代理商: 2SC3332S
No.1334-2/4
2SA1319/2SC3332
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2SC3332
2SA1319
2SC3332
2SA1319
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A
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p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
相关PDF资料
PDF描述
2SC3338ARUL UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3338ARTR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3338AR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3338AR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3355-K UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC3332S-AA 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3332T 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3332T-AA 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3333 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-92 250V .05A .6W ECB
2SC3333(F)TPE2 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (PCT PROCESS) - Tape and Reel