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参数资料
| 型号： | 2SC3359STP/PR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | 2SC3359STP/PR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA854SR | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC1740SLNR | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC1740/Q | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA933ALNT93/S | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC1740LNT93/R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3359STPQ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SPAK |
| 2SC3359STPQ/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, NPN, Driver, 80V, 0.3A, SPT |
| 2SC3359STPR | 功能描述:两极晶体管 - BJT DRIVER NPN 80V 0.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3360 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND SWITCHING NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
| 2SC3360N15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:BJT |
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