参数资料
型号: 2SC3415
文件页数: 3/5页
文件大小: 23K
代理商: 2SC3415
2SC3413
3
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
C
Maximum Collector Dissipation Curve
100
200
300
相关PDF资料
PDF描述
2SC3419O TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-126
2SC3419Y SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3450M TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR
2SC3450N SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3451L TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218VAR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC3415STPN 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 300V 0.1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3415STPP 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 300V 0.1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC3417 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-126 300V .1A 1.2W ECB
2SC3419 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR (86I
2SC3419-O(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: