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参数资料
| 型号： | 2SC3648G-T-AB3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | 2SC3648G-T-AB3-R |
2SC3648
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R208-038,C
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector to Base Voltage
VCBO
180
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
160
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
0.7
A
Collector Current (Pulse)
ICP
1.5
A
Collector Dissipation
PC
500
mW
Junction Temperature
TJ
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-40 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta= 25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC =10μA, IE =0
180
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC =1, RBE =∞
160
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE =10μA, IC=0
6
V
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB =120V, IE =0
0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB =4V, IC =0
0.1
μA
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC =250mA, IB =25mA
0.12 0.4
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC =250mA, IB =25mA
0.85 1.2
V
Output Capacitance
Cob
VCB =10V, f =1MHz
8
pF
hFE1
VCE =5V, IC =100mA
100
400
DC Current Gain
hFE2
VCE =5V, IC =10mA
90
Turn-on Time
tON
See specified Test circuit
50
ns
Storage Time
tSTG
See specified Test circuit
1000
ns
Fall Time
tF
See specified Test circuit
60
ns
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE =5V, IC =50mA
120
MHz
CLASSIFICATION OF hFE1
RANK
R
S
T
RANGE
100 ~ 200
140 ~ 280
200 ~ 400
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3648L-R-AB3-R | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3648-T-AB3-R | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC3652 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3648S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3648T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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