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参数资料
| 型号： | 2SC3648L-S-AB3-R |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | 2SC3648L-S-AB3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC3648
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R208-038,C
HIGH-VOLTAGE SWITCHING
PREDRIVER APPLICATIONS
FEATURES
* High Breakdown Voltage and Large Current Capacity
* Fast Switching Speed
* Over Current Protection Function
SOT-89
1
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SC3648-x-AB3-R
2SC3648L-x-AB3-R 2SC3648G-x-AB3-R
SOT-89
B
C
E
Tape Reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2SC3648S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3648T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649S-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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