- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30483 > 2SC3648S (ON SEMICONDUCTOR) 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC3648S |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2SC3648S |
2SA1418 / 2SC3648
Rev.0 I Page 1 of 5 I www.onsemi.com
Applications
Color TV audio output, inverter.
Features
Adoption of FBET, MBIT processes.
High breakdown voltage and large current capacity.
Fast switching speed.
Ultrasmall size making it easy to provide high-density, small-sized hybrid IC’s.
Specifications ( ) : 2SA1418
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector-to-Base Voltage
VCBO
(--)180
V
Collector-to-Emitter Voltage
VCEO
(--)160
V
Emitter-to-Base Voltage
VEBO
(--)6
V
Collector Current
IC
(--)0.7
A
Collector Current (Pulse)
ICP
(--)1.5
A
Collector Dissipation
PC
500
mW
Mounted on a ceramic board (250mm2
0.8mm)
1.3
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Marking 2SA1418 : AD
2SC3648 : CD
Ordering number : EN1788B
2SA1418 / 2SC3648
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
High-Voltage Switching,
Preriver Applications
2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
www.onsemi.com
Publication Order Number:
2SA1418_2SC3648/D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3648 | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1418S | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1418R | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1419-R | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1419 | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3648S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3648T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649S-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。