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参数资料
| 型号： | 2SC3663-K-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | 2SC3663-K-A |
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC3663
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION
1997
Document No. P10406EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published August 1997 N
Printed in Japan
DATA SHEET
FEATURES
Low-voltage, low-current, low-noise and high-gain
NF = 3.0 dB TYP.
@VCE = 1 V, IC = 250
PA, f = 1.0 GHz
GA = 3.5 dB TYP.
@VCE = 1 V, IC = 250
PA, f = 1.0 GHz
Ideal for battery drive of pagers, compact radio equipment,
cordless phones, etc.
Gold electrode gives high reliability.
Mini mold package, ideal for hybrid ICs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
qqqqC)
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector to Base Voltage
VCBO
15
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
8V
Emitter to Base Voltage
VEBO
2V
Collector Current
IC
5mA
Total Power Dissipation
PT
50
mW
Junction Temperature
Tj
150
qC
Storage Temperature
Tstg
65 to +150
qC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
qqqqC)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0
0.1
PA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 1 V, IC = 0
0.1
PA
DC Current Gain
hFE
VCE = 1 V, IC = 250
PA, pulse
50
100
250
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 1 V, IC = 1 mA
4
GHz
Insertion Power Gain
°S21e°2
VCE = 1 V, IC = 1 mA, f = 1 GHz
4.0
6.5
dB
Maximum Available Gain
MAG
VCE = 1 V, IC = 1 mA, f = 1 GHz
12.5
dB
Noise Figure
NF
VCE = 1 V, IC = 250
PA, f = 1.0 GHz
3.0
4.5
dB
Associated Power Gain
GA
VCE = 1 V, IC = 250
PA, f = 1.0 GHz
3.5
dB
Collector Capacitance
Cob
Note
VCB = 1 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
0.4
0.6
pF
Note Measured using 3-pin bridge, with emitter pin connected to the bridge guard pin.
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)
2.8 ± 0.2
2.9
±
0.2
0
to
0.1
0.95
0.3
1.1
to
1.4
0.95
0.4
1.5
C
Marking
E
B
0.65
+0.1
–0.15
+0.1
–0.05
0.16
+0.1
–0.06
0.4
+0.1
–0.05
PIN CONNECTIONS
E: Emitter
B: Base
C: Collector
Marking: R62
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3663-K | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3664 | 20 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SC3665-Y | 800 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3670-A | 2000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3670 | 2000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3665-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 3-Pin MSTM |
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| 2SC3665-Y,T2F(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 |
| 2SC3665-Y,T2NSF(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 |
| 2SC3665-Y,T2YNSF(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 |
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