参数资料
型号: 2SC3789-E
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装: TO-126ML, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 40K
代理商: 2SC3789-E
No.2093-3/5
2SA1479/2SC3789
ITR03767
IC -- VBE
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
0
--20
--40
--60
--80
--100
--120
2SA1479
VCE=--5V
Ta
=
7
C
25
°C
--25
°C
ITR03768
IC -- VBE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
20
40
60
80
100
120
2SC3789
VCE=5V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
Collector
Current,
I C
–m
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
--1.0
23
3
57
--10
7 --100
5
22
7
100
10
5
7
5
2
3
2
ITR03771
fT -- IC
2SA1479
VCE=--30V
1.0
23
3
57
10
7
100
5
22
7
100
10
5
2
7
5
3
ITR03772
fT -- IC
2SC3789
VCE=30V
7 --10
27 --100
2
3
--1.0
23
5
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03773
Cob -- VCB
2SA1479
f=1MHz
2SC3789
f=1MHz
7
10
27
100
2
3
1.0
23
5
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03774
Cob -- VCB
1000
100
10
ITR03769
hFE -- IC
2
3
57
7
3
25
2
--1.0
--10
--100
2
3
5
7
2
3
5
1.0
3
77
23
5
10
100
5
22
7
10
5
100
7
1000
5
3
2
3
2
ITR03770
2SA1479
VCE=--10V
2SC3789
VCE=10V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
Ta=75
°C
25
°C
--25°C
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC –mA
Output
Capacitance,
Cob
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
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