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参数资料
| 型号： | 2SC3789F |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-126ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 2SC3789F |
2SA1479 / 2SC3789
No.2093-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)200V, IE=0A
(--)0.1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)0.1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)10V, IC=(--)10mA
40*
320*
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)30V, IC=(--)10mA
70
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)20mA, IB=(--)2mA
(--)0.6
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)20mA, IB=(--)2mA
(--)1.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)300
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)300
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)5
V
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)30V, f=1MHz
(3.1)2.6
pF
Reverse Transfer Capacitance
Cre
VCB=(--)30V, f=1MHz
(2.3)1.8
pF
* : The 2SA1479 / 2SC3789 are classified by 10mA hFE as follws:
Rank
C
D
E
F
hFE
40 to 80
60 to 120
100 to 200
160 to 320
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7516A-002
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126ML
0.8
0.75
2.4
4.8
0.8
0.7
8.0
4.0
1.0
3.6
1.4
1.6
1.5
1.7
7.5
3.0
15.5
11.0
3.3
3.0
12
3
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
ITR03763
0
--2
--4
--6
--8
--10
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
IB=0μA
ITR03764
10
68
24
0
1
2
3
4
5
6
7
8
2SA1479
IB=0μA
2SC3789
--40
μA
--30
μA
--10
μA
--20
μA
40
μA
30
μA
20
μA
10
μA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1479C | 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC3803-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 45V 0.2A SC-62 |
| 2SC3807MP-AE | 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述: |
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