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参数资料
| 型号： | 2SC3835A |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | 2SC3835A |
UTC2SC3835
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
1
QW-R214-002,A
SWITCH NPN TRANSISTOR
APLLICATION
*Humidifier,DC-DC converter,and general purpose.
TO-3PN
1
1: BASE 2:COLLECTOR 3: EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
200
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
120
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
8
V
Base Current
IB
3
A
Collector Current
7
A
Collector Current (PULSE)
Ic
14
A
Collector Power Dissipation( Tc=25
°C )
Pc
70
W
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C,unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX UNIT
Collector Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
Ic= 50mA
120
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=200V, IE=0
100
μ
A
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB= 8V, Ic =0
100
μ
A
DC Current Transfer Ratio
hFE
VCE= 4V,Ic= 3A
70
220
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
Ic=3A ,IB=0.3A
0.5
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
Ic=3A ,IB=0.3A
1.2
V
Transition Frequency
fT
VCE=12V,IE=-0.5mA
30
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB= 10V, IE= 0 A,f=1MHz
110
pF
Turn-on Time
ton
0.5
s
Storage Time
tstg
3.0
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit
0.5
s
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PDF描述 |
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