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参数资料
| 型号： | 2SC3836RR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SPAK-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | 2SC3836RR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2SC4366ZI-UL | 300 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3837KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC3837KT146N | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3837KT146N/P | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, NPN, RF, 18V, 50mA, SMT3, 2 |
| 2SC3837KT146P | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3838KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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