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参数资料
| 型号： | 2SC3931G-D |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 277K |
| 代理商： | 2SC3931G-D |
1
Transistors
Publication date: April 2007
SJC00358AED
2SC3931G
Silicon NPN epitaxial planar type
For high-frequency amplification
■ Features
Optimum for RF amplification of FM/AM radios
High transition frequency f
T
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
3V
Collector current
IC
15
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 030
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 03
V
Base-emitter voltage
VBE
VCB = 6 V, IE = 1 mA
720
mV
Forward current transfer ratio *
hFE
VCB
= 6 V, I
E
= 1 mA
65
260
Transition frequency
fT
VCB = 6 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
450
650
MHz
Common-emitter reverse transfer
Cre
VCB = 6 V, IE = 1 mA, f = 10.7 MHz
0.8
1.0
pF
capacitance
Power gain
GP
VCB = 6 V, IE = 1 mA, f = 100 MHz
24
dB
Noise figure
NF
VCB
= 6 V, I
E
= 1 mA, f = 100 MHz
3.3
dB
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
C
D
hFE
65 to 160
100 to 260
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: U
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3931G | HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3938H | 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4835H | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4835TX | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4780TX | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC3932GSL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC3932GTL | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
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