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参数资料
| 型号： | 2SC3933 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | 2SC3933 |
1
Transistor
2SC3933
Silicon NPN planer type
For UHF amplification/mixing
s Features
q
High power gain PG.
q
High transition frequency fT.
q
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
EIAJ:SC–70
3:Collector
S–Mini Type Package
2.1
±0.1
1.3
±0.1
0.9
±0.1
0.7
±0.1
0.3
+0.1
–0
0.15
+0.1
–0.05
2.0
±0.2
1.25
±0.1
0.425
1
3
2
0.65
0.2
0.65
0
to
0.1 0.2
±0.1
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
30
20
3
20
150
–55 ~ +150
Unit
V
mA
mW
C
s Electrical Characteristics (Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Forward current transfer ratio
Transition frequency
Collector output capacitance
Common emitter reverse transfer capacitance
Power gain
Noise figure
Symbol
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
hFE3
fT
Cob
Crb
PG*
NF*
Conditions
VCB = 25V, IE = 0
VEB = 3V, IC = 0
VCB = 10V, IE = –3mA
VCB = 10V, IE = –10mA
VCB = 10V, IE = –100A
VCB = 10V, IE = –3mA, f = 200MHz
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
VCC = 11V, VAGC = 3V, f = 800MHz
min
40
60
750
14
typ
1100
0.7
0.15
max
1
10
200
1400
5
Unit
A
MHz
pF
dB
*PG, NF Refer to the measurment circuit
Marking symbol :
1T
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC39350PL | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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