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参数资料
| 型号： | 2SC3936G |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | 2SC3936G |
1
Transistors
Publication date: April 2007
SJC00362AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SC3936G
Silicon NPN epitaxial planar type
For high-frequency amplification
■ Features
Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF of
FM/AM radios
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
5V
Collector current
IC
30
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC
= 10 A, I
E
= 030
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 2 mA, IB = 020
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 05
V
Forward current transfer ratio *
hFE
VCE
= 10 V, I
C
= 1 mA
70
250
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
150
230
MHz
Reverse transfer capacitance
Cre
VCB = 10 V, IE = 1 mA, f = 10.7 MHz
1.3
pF
(Common emitter)
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Rank
B
C
hFE
70 to 160
110 to 250
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
■ Package
Code
SMini3-F2
Marking Symbol: K
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3936GC | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3938Q | 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3948 | 10 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC3952 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 2SC3952F | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC393700L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC3937G0L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC39380QL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 100MA SMINI-3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC39380RL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 100MA SMINI-3P RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC3938GQL | 功能描述:TRANS NPN 40VCES 100MA SMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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