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参数资料
| 型号： | 2SC3969C7/AB |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 封装： | TO-220FP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | 2SC3969C7/AB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1635C7/DE | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SB1356T114/DF | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2033T114/DE | 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2023C7E | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SB1335AC7F | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC3970 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FA 800V 1.5A 25W BCE |
| 2SC3971 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 800V 3A 30W BCE |
| 2SC3974 | 功能描述:TRANS NPN 500VCEO 7A TOP-3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC3975 | 功能描述:TRANS NPN 500VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC3977 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FA 100V 1A 30W BCE |
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