参数资料
型号: 2SC4102S
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 1/3页
文件大小: 97K
代理商: 2SC4102S
相关PDF资料
PDF描述
2SC4713KR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1886T107 UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4772T106 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1198KT147 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4713KS UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC4102T106 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC4102T106R 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 120V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4102T106S 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 25V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC4102W 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Transistor
2SC4103 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23VAR