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参数资料
| 型号： | 2SC4117 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | 2SC4117 |
2SC4117
2003-03-27
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4117-BL | 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4117GRTE85R | 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4117TE85R | 100 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4124 | 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4125 | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3PML |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4117BL | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| 2SC4117-BL(TE85L,F | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN |
| 2SC4117-BL,LF | 功能描述:TRANS NPN 120V 0.1A SOT323 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 |
| 2SC4117GR | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70 |
| 2SC4117-GR | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
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