- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录106928 > 2SC4146-TB 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC4146-TB |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | 2SC4146-TB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4169-AF | 1200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SC4169-AJ | 1200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SC4204-AB | 700 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC4272F2 | 1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SC4272E1-TD | 1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4148 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SC4148-4000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4148-7000 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4148-7012 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4148-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。